胡正龙，男，1978年生，湖北通城人，博士，副教授。2002年毕业于湖北师范学院，获物理学教育学士学位。2007年毕业于湖北大学，获材料学工学硕士学位。2010年毕业于湖北大学获材料学博士学位，研究方向为“低维铁电纳米结构的制备和性能研究”。主要从事低维铁电纳米材料的可控生长、微结构、电学和光学性能研究。2008年11月至2009年6月于香港理工大学应用物理系进行研究工作，利用扫描探针显微镜（SPM）中的压电力模式（PFM）测试了单根纳米管和纳米片的铁电压电特性。申请专利一项。先后参与国家自然科学基金“改性KNN一维纳米结构的机电/声电转换特性研究”和“改性Bi4Ti3O12铁电纳米线阵列生长及性能研究”等的研究工作。

研究方向：功能纳米材料

主讲课程：《大学物理》、《电磁学》、《信息光学》、《大学物理实验》